文献
J-GLOBAL ID:201702249917976722
整理番号:17A0151741
半導体からのテラヘルツ波の表面放出における過剰バンドギャップエネルギーの役割
The role of bandgap energy excess in surface emission of terahertz radiation from semiconductors
著者 (2件):
Alfaro-Gomez M.
(Departamento de Matematicas y Fisica, Universidad Autonoma de Aguascalientes, Av. Universidad 940, Ciudad Universitaria, C.P. 20131 Aguascalientes, Mexico)
,
Castro-Camus E.
(Centro de Investigaciones en Optica A.C., Loma del Bosque 115, Lomas del Campestre, C.P. 37150 Leon, Guanajuato, Mexico)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
4
ページ:
042101-042101-4
発行年:
2017年01月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)