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文献
J-GLOBAL ID：201702249925604260
整理番号：17A1557682
Grove理論に基づくAlN膜のMOCVD蒸着のための動力学モデル【Powered by NICT】
A kinetics model for MOCVD deposition of AlN film based on Grove theory
Pu Kaiwen
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Pu Kaiwen
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Dai Xianying
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Dai Xianying
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Miao Dongming
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Miao Dongming
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Wu Shujing
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Wu Shujing
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhao Tianlong
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhao Tianlong
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Hao Yue
(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technologies, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 478 ページ： 42-46 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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