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文献
J-GLOBAL ID：201702249967956409
整理番号：17A1943199
NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価
Study on degradation of NO2 adsorbed H-terminated diamond MOS FETs by constant voltage stress
石松裕真
(佐賀大 理工)
,
舟木浩祐
(佐賀大 理工)
,
桝谷聡士
(佐賀大 理工)
,
宮崎恭輔
(佐賀大 理工)
,
大島孝仁
(佐賀大 理工)
,
嘉数誠
(佐賀大 理工)
,
大石敏之
(佐賀大 理工)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 331(ED2017 49-71) ページ： 69-72 発行年： 2017年11月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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