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文献
J-GLOBAL ID：201702250210429309
整理番号：17A1273445
SchottkyおよびMISゲートを用いたAlGaN/GaNH EMTのパルスのロバスト性【Powered by NICT】
Pulse robustness of AlGaN/GaN HEMTs with Schottky- and MIS-gates
Unger Christian
(Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Dortmund, Germany, Emil-Figge-Stras&e 68, Dortmund, Germany)
,
Mocanu Manuela
(Robert Bosch Center for Power Electronics, Reutlingen University, Reutlingen, Germany)
,
Pfost Martin
(Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Dortmund, Germany, Emil-Figge-Stras&e 68, Dortmund, Germany)
,
Waltereit Patrick
(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Freiburg, Germany)
,
Reiner Richard
(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Freiburg, Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISPSD ページ： 451-454 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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