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文献

J-GLOBAL ID：201702250578025256 整理番号：17A0325230

低電流,高耐久性チタンニオブ酸化物メモリスタの空間的に一様な抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Spatially uniform resistance switching of low current, high endurance titanium-niobium-oxide memristors

著者 (9件)：

Kumar Suhas

(Hewlett Packard Labs, 1501 Page Mill Rd, Palo Alto, CA 94304, USA. suhas.kumar@hpe.com stan.williams@hpe.com)

Davila Noraica

Wang Ziwen

Huang Xiaopeng

Strachan John Paul

Vine David

David Kilcoyne A. L.

Nishi Yoshio

Stanley Williams R.

資料名：

Nanoscale (Nanoscale)

巻： 9 号： 5 ページ： 1793-1798 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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