文献
J-GLOBAL ID:201702250694873414
整理番号:17A0953413
光誘導性過渡的分光法によって研究した非晶質In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける負バイアス熱照明ストレス安定性とトラップ状態の相関関係
Correlation of trap states with negative bias thermal illumination stress stabilities in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors studied by photoinduced transient spectroscopy
著者 (6件):
HAYASHI Kazushi
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
OCHI Mototaka
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
HINO Aya
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
TAO Hiroaki
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
GOTO Hiroshi
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
,
KUGIMIYA Toshihiro
(Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
3S
ページ:
03BB02.1-03BB02.8
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)