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文献
J-GLOBAL ID：201702250710740203
整理番号：17A0697163
分子ビームエピタクシーにより成長させたAl_0 9Ga_0 1As_0 0.06Sb_0Cu3O6.94中へのドーパントの導入【Powered by NICT】
Dopant incorporation in Al0.9Ga0.1As0.06Sb0.94 grown by molecular beam epitaxy
Patra Saroj Kumar
(Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway)
,
Tran Thanh-Nam
(Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway)
,
Vines Lasse
(Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway)
,
Kolevatov Ilia
(Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway)
,
Monakhov Edouard
(Department of Physics, University of Oslo, NO-0316 Oslo, Norway)
,
Fimland Bjorn-Ove
(Department of Electronic Systems, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 463 ページ： 116-122 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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