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文献
J-GLOBAL ID：201702250722303261
整理番号：17A1696464
HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討
A Study on the Device Characteristics of Pentacene-based OFET with HfO2 Gate Insulator
前田康貴
(東京工大)
,
LIU Yeyuan
(東京工大)
,
廣木瑞葉
(東京工大)
,
大見俊一郎
(東京工大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 260(SDM2017 50-60) ページ： 25-30 発行年： 2017年10月18日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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