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J-GLOBAL ID：201702250796936172 整理番号：17A1637514

株(BEOL)Cu/Ultra低k時間依存絶縁破壊(TDDB)依存性の鍵となる過程に及ぼす28nmの研究【Powered by NICT】

A study of 28nm back end of line (BEOL) Cu/Ultra-low-k time dependent dielectric breakdown (TDDB) dependence on key processes

著者 (7件)：

Li Feng-lian

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Zhou Jie

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Zhang Li-Fei

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Gan Zheng-Hao

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Zou Xiao-Dong

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Dou Tao

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

,

Yu Tzu-Chiang

(Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp, No.18 Zhangjiang Rd., Pudong New Area, Shanghai, 201203, P. R. China)

資料名：

IEEE Conference Proceedings (IEEE Conference Proceedings)

巻： 2017 号： IPFA ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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