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文献
J-GLOBAL ID：201702250923489520
整理番号：17A0214210
多結晶シリコンチャネルトラップは3D NANDフラッシュセルストリングにおける過渡リード不安定性を誘導する【Powered by NICT】
Polycrystalline-silicon channel trap induced transient read instability in a 3D NAND flash cell string
Tsai Wen-Jer
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Lin W. L.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Cheng C. C.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Ku S. H.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Chou Y. L.
(Dept. of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Liu Lenvis
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Hwang S. W.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Lu T. C.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Chen K. C.
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Wang Tahui
(Dept. of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
,
Lu Chih-Yuan
(Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 11.3.1-11.3.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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