文献
J-GLOBAL ID:201702251029243530
整理番号:17A0544481
2H-MoTe2における圧力に依存する半導体-半金属およびLifshitz転移:Ramnおよび第一原理研究
Pressure-dependent semiconductor to semimetal and Lifshitz transitions in 2H-MoTe2: Raman and first-principles studies
著者 (5件):
BERA Achintya
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
,
SINGH Anjali
(Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
,
MUTHU D V S
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
,
WAGHMARE U V
(Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
,
SOOD A K
(Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
29
号:
10
ページ:
105403,1-10
発行年:
2017年03月15日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)