文献
J-GLOBAL ID:201702251106988572
整理番号:17A0825252
地上中性子によるSiとSiCパワーMOSFETにおけるシングルイベント効果【Powered by NICT】
Single Event Effects in Si and SiC Power MOSFETs Due to Terrestrial Neutrons
著者 (4件):
Akturk A.
(CoolCAD Electronics LLC, College Park, MD, USA)
,
Wilkins R.
(Prairie View A&M University, College Station, TX, USA)
,
McGarrity J.
(CoolCAD Electronics LLC, College Park, MD, USA)
,
Gersey B.
(Prairie View A&M University, College Station, TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
64
号:
1
ページ:
529-535
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)