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J-GLOBAL ID：201702251115894567 整理番号：17A0400625

レーザ干渉アブレーションによって直接作製したサブミクロンスケールの2Dperiodic構造をもつ高効率GaN LED【Powered by NICT】

High efficiency GaN LEDs with submicron-scale 2Dperiodic structures directly fabricated by laser interference ablation

著者 (8件)：

Chen Yuanyuan

(National Research Center for Optical Sensing/Communications Integrated Networking Lab of Photonics and Optical Communications, Dept. of Electronics Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China)

Chen Yuanyuan

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA)

Yuan Dajun

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA)

Yuan Dajun

(Torrey Hills Technologies, LLC. 6370 Lusk Blvd, Suite F111, San Diego, CA 92121, USA)

Yang Muchuan

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA)

Wang Deli

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA)

Wang Deli

(NEEM Scientific, Inc., San Diego, CA 92129, USA)

Sun Xiaohan

資料名：

Optics & Laser Technology (Optics & Laser Technology)

巻： 90 ページ： 211-215 発行年： 2017年
JST資料番号： D0245B ISSN： 0030-3992 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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