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文献
J-GLOBAL ID：201702251162305355
整理番号：17A0026058
AlNパシベーション層とNH3遠隔後プラズマ処理をしたIn0.53Ga0.47As MOSFETの電気的解析とPBTI信頼性
Electrical Analysis and PBTI Reliability of In0.53Ga0.47As MOSFETs With AlN Passivation Layer and NH3 Postremote Plasma Treatment
Chang Po-Chun
(Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Luc Quang-Ho
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lin Yueh-Chin
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Liu Shih-Chien
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Lin Yen-Ku
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Sze Simon M.
(Department of Electronics Engineering and the Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang Edward Yi
(Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 9 ページ： 3466-3472 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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