文献
J-GLOBAL ID:201702251201122852
整理番号:17A0027121
表面パッシベーションによる高オン/オフ電流比のGe n+/p接合
Ge n+/p Junctions With High ON-to-OFF Current Ratio by Surface Passivation
著者 (4件):
Liu Tony Chi
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Ikegaya Hiroki
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Nishimura Tomonori
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Toriumi Akira
(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
7
ページ:
847-850
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)