文献
J-GLOBAL ID:201702251228728354
整理番号:17A0549496
Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 スタックにおけるインプラント重水素に関する原子プローブトモグラフィー研究
Atom Probe Tomographic Study on Implanted Deuterium in Al2O3/HfxSi1-xO2/SiO2 Stacks
著者 (9件):
TU Y.
(Tohoku Univ.)
,
HAN B.
(Tohoku Univ.)
,
SHIMIZU Y.
(Tohoku Univ.)
,
KUNIMUNE Y.
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
SHIMADA Y.
(Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
,
INOUE M.
(Renesas Electronics Corp.)
,
INOUE K.
(Tohoku Univ.)
,
NAGATA S.
(Tohoku Univ.)
,
NAGAI Y.
(Tohoku Univ.)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
64th
ページ:
ROMBUNNO.15p-P14-7
発行年:
2017年03月01日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)