前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702251229123219
整理番号：17A0680774
極薄MoS2トランジスタにおける少量の電子ビーム露光により誘導されたナノスケールバリア形成
Nanoscale-Barrier Formation Induced by Low-Dose Electron-Beam Exposure in Ultrathin MoS2 Transistors
MATSUNAGA Masahiro
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HIGUCHI Ayaka
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HE Guanchen
(State Univ. New York, New York, USA)
,
YAMADA Tetsushi
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KRUEGER Peter
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
OCHIAI Yuichi
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
GONG Yongji
(Rice Univ., Texas, USA)
,
VAJTAI Robert
(Rice Univ., Texas, USA)
,
AJAYAN Pulickel M.
(Rice Univ., Texas, USA)
,
BIRD Jonathan P.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
BIRD Jonathan P.
(State Univ. New York, New York, USA)
,
AOKI Nobuyuki
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
AOKI Nobuyuki
(JST-PRESTO, Kawaguchi, JPN)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 10 号： 10 ページ： 9730-9737 発行年： 2016年10月
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。