文献
J-GLOBAL ID:201702251264789944
整理番号:17A1504063
原子空格子点により活性化されたグラフェン上の貯蔵水素過程【Powered by NICT】
Storing-hydrogen processes on graphene activated by atomic-vacancies
著者 (3件):
Sunnardianto Gagus Ketut
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-chou, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan)
,
Maruyama Isao
(Faculty of Information Engineering, Fukuoka Institute of Technology, 3-30-1 Wajiro, Higashi, Higashi-ku, Fukuoka, 811-0295, Japan)
,
Kusakabe Koichi
(Graduate School of Engineering Science, Osaka University, 1-3 Machikaneyama-chou, Toyonaka, Osaka, 560-8531, Japan)
資料名:
International Journal of Hydrogen Energy
(International Journal of Hydrogen Energy)
巻:
42
号:
37
ページ:
23691-23697
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0192B
ISSN:
0360-3199
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)