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文献
J-GLOBAL ID：201702251368966252
整理番号：17A1181679
進歩したCMOSのための再構成可能な電界効果トランジスタ:利点と限界【Powered by NICT】
Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
Navarro C.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Barraud S.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Martinie S.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Lacord J.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Jaud M.-A.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
,
Vinet M.
(CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 128 ページ： 155-162 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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