前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702251415775216
整理番号：17A0361470
InGaAsP MBEにより成長させたに及ぼす急速熱アニーリングの著しい影響:材料と光起電素子【Powered by NICT】
The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device
Ji Lian
(College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China)
,
Ji Lian
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Tan Ming
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Ding Chao
(College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China)
,
Honda Kazuki
(Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Harasawa Ryo
(Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Yasue Yuya
(Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Wu Yuanyuan
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Dai Pan
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Tackeuchi Atsushi
(Department of Applied Physics, Waseda University, Tokyo 169-8555, Japan)
,
Bian Lifeng
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Lu Shulong
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
,
Yang Hui
(College of Energy, Nanjing Tech University, Nanjing 211816, China)
,
Yang Hui
(Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215125, China)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 458 ページ： 110-114 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。