文献
J-GLOBAL ID:201702251522102249
整理番号:17A0402536
異なる開発者とSML電子線レジスト特性の比較研究【Powered by NICT】
Comparative study of SML electron beam resist characteristics with different developers
著者 (4件):
Aassime A.
(Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Bayle F.
(Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Plante M.P.
(Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Hamouda F.
(Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
168
ページ:
62-66
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)