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文献
J-GLOBAL ID：201702251669931219
整理番号：17A0388923
高い素子歩留りと性能を改良した有機三元記憶を達成するための表面工学【Powered by NICT】
Surface engineering to achieve organic ternary memory with a high device yield and improved performance
Hou Xiang
(College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, Suzhou 215123, PR China. jinghhe@suda.e...)
,
Xiao Xin
,
Zhou Qian-Hao
,
Cheng Xue-Feng
,
He Jing-Hui
,
Xu Qing-Feng
,
Li Hua
,
Li Na-Jun
,
Chen Dong-Yun
,
Lu Jian-Mei
資料名：
Chemical Science (Web)
(Chemical Science (Web))
巻： 8 号： 3 ページ： 2344-2351 発行年： 2017年
JST資料番号： U7042A ISSN： 2041-6539 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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