文献
J-GLOBAL ID:201702251762050226
整理番号:17A0399659
r.f.マグネトロンスパッタリングにより低温でαAl_2O_3基板上成長Cr_2O_3薄膜のプロセス【Powered by NICT】
The process of growing Cr2O3 thin films on α-Al2O3 substrates at low temperature by r.f. magnetron sputtering
著者 (4件):
Gao Yin
(Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
,
Leiste Harald
(Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
,
Stueber Michael
(Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
,
Ulrich Sven
(Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
457
ページ:
158-163
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)