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文献
J-GLOBAL ID：201702251863437118
整理番号：17A1259624
2G/3G/4G細胞応用のための80dB SFDRを持つ14nm FinFETにおける12b,1GS/s,6.1mW電流ステアリングDAC【Powered by NICT】
A 12-b, 1-GS/s 6.1 mW current-steering DAC in 14 nm FinFET with 80 dB SFDR for 2G/3G/4G cellular application
Kim Jaekwon
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
,
Jang Woojin
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
,
Lee Yanghun
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
,
Oh Seunghyun
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
,
Lee Jongwoo
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
,
Cho Thomas
(Samsung Electronics, 1-1 Samsungro, Hwasung, Gyeonggi, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： RFIC ページ： 248-251 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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