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文献
J-GLOBAL ID：201702251865119708
整理番号：17A0471593
シリコンとカプトン基板上に蒸着したTi下部電極上の(002)配向AlN薄膜の成長評価【Powered by NICT】
Growth assessment of (002)-oriented AlN thin films on Ti bottom electrode deposited on silicon and kapton substrates
Signore M.A.
(Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
,
Taurino A.
(Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
,
Catalano M.
(Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
,
Kim M.
(Dep. of Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
,
Che Z.
(Dep. of Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA)
,
Quaranta F.
(Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
,
Siciliano P.
(Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
資料名：
Materials & Design
(Materials & Design)
巻： 119 ページ： 151-158 発行年： 2017年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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