文献
J-GLOBAL ID:201702251883648675
整理番号:17A0968235
超音波スプレー熱分解堆積法をによるAl2O3/TiO2積層誘電体を有するAlGaN/GaN/Si MOS-HFETの比較研究
Comparative studies on AlGaN/GaN/Si MOS-HFETs with Al2O3/TiO2 stacked dielectrics by using an ultrasonic spray pyrolysis deposition technique
著者 (5件):
LEE Ching-Sung
(Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
,
HSU Wei-Chou
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHIANG Bo-Jung
(Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
,
LIU Han-Yin
(Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
,
LEE Hsin-Yuan
(National Chung Cheng Univ., Chia-Yi County, TWN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
5
ページ:
055012,1-7
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)