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文献
J-GLOBAL ID：201702251957434970
整理番号：17A0475061
成長中のドーピング半導体ナノワイヤの進歩【Powered by NICT】
Progress in doping semiconductor nanowires during growth
Dayeh Shadi A.
(Integrated Electronics and Biointerfaces Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
,
Dayeh Shadi A.
(Materials Science and Engineering Program, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
,
Dayeh Shadi A.
(Department of NanoEngineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
,
Chen Renjie
(Integrated Electronics and Biointerfaces Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
,
Ro Yun Goo
(Integrated Electronics and Biointerfaces Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
,
Sim Joonseop
(Integrated Electronics and Biointerfaces Laboratory, Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093, USA)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 62 ページ： 135-155 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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