文献
J-GLOBAL ID:201702251967992198
整理番号:17A1727286
SiGeのバンド間トンネル効果の原子論的シミュレーション:合金散乱の影響【Powered by NICT】
Atomistic simulation of band-to-band tunneling in SiGe: Influence of alloy scattering
著者 (6件):
Park Hong-Hyun
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA)
,
Jin Seonghoon
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA)
,
Choi Woosung
(Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA)
,
Luisier Mathieu
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zurich, Switzerland)
,
Kim Jongchol
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
,
Lee Keun-Ho
(Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
173-176
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)