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文献
J-GLOBAL ID：201702252001660256
整理番号：17A0876233
pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology
WANG Guilei
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
LUO Jun
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
LUO Jun
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
LIU Jinbiao
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
YANG Tao
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
XU Yefeng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
LI Junfeng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
YIN Huaxiang
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
YIN Huaxiang
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
YAN Jiang
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
ZHU Huilong
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
ZHAO Chao
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
ZHAO Chao
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
YE Tianchun
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
YE Tianchun
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
RADAMSON Henry H.
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
RADAMSON Henry H.
(Univ. Chinese Acad. of Sci.)
,
RADAMSON Henry H.
(KTH Royal Inst. of Technol.)
資料名：
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12 号： 1 ページ： 12:306 (WEB ONLY) 発行年： 2017年12月
JST資料番号： U7001A ISSN： 1931-7573 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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