文献
J-GLOBAL ID:201702252059956614
整理番号:17A1560091
フラーレン-C60バルク有機半導体における電子移動度と拡散係数に及ぼす温度効果のモンテカルロシミュレーション【Powered by NICT】
Monte Carlo simulation of temperature effect on the electron mobility and diffusion coefficient in fullerene-C60 bulk organic semiconductor
著者 (4件):
Berkai Zakarya
(Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria)
,
Daoudi Mebarka
(Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria)
,
Mendil Nesrin
(Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria)
,
Belghachi Abderrahmane
(Laboratory of Semiconductor Devices physics, Tahri Mohammed University - Bechar, P.O. Box 417, Bechar 08000, Algeria)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
182
ページ:
57-60
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)