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文献
J-GLOBAL ID：201702252091505255
整理番号：17A0475802
X線吸収分光法による超硬半導体ほう素subphosphide B_12P_2における欠陥集団の検出【Powered by NICT】
Detection of defect populations in superhard semiconductor boron subphosphide B12P2 through X-ray absorption spectroscopy
Huber S. P.
(Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA. mail@sphuber.net)
,
Gullikson E.
,
Meyer-Ilse J.
,
Frye C. D.
,
Edgar J. H.
,
van de Kruijs R. W. E.
,
Bijkerk F.
,
Prendergast D.
資料名：
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability
(Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5 号： 12 ページ： 5737-5749 発行年： 2017年
JST資料番号： W0204B ISSN： 2050-7488 CODEN： JMCAET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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