文献
J-GLOBAL ID:201702252091505255
整理番号:17A0475802
X線吸収分光法による超硬半導体ほう素subphosphide B_12P_2における欠陥集団の検出【Powered by NICT】
Detection of defect populations in superhard semiconductor boron subphosphide B12P2 through X-ray absorption spectroscopy
著者 (8件):
Huber S. P.
(Molecular Foundry, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, California 94720, USA. mail@sphuber.net)
,
Gullikson E.
,
Meyer-Ilse J.
,
Frye C. D.
,
Edgar J. H.
,
van de Kruijs R. W. E.
,
Bijkerk F.
,
Prendergast D.
資料名:
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability
(Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻:
5
号:
12
ページ:
5737-5749
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0204B
ISSN:
2050-7488
CODEN:
JMCAET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)