文献
J-GLOBAL ID:201702252187366224
整理番号:17A1637509
GaNH EMTにおける多重トラップエネルギー状態:特性化とモデル化【Powered by NICT】
Multi-trap energy states in GaN HEMTs: Characterization and modeling
著者 (3件):
Syamal Binit
(Globalfoundries Singapore Pte. Ltd., 60 Woodlands Industrial Park D Street 2, Singapore 738406)
,
Zhou Xing
(NOVITAS, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798)
,
Ben Chiah Siau
(NOVITAS, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IPFA
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)