文献
J-GLOBAL ID:201702252193098904
整理番号:17A1900450
二軸引張歪により誘起された2次元Mg2C単分子層の金属-半導体転移【Powered by NICT】
Metal-semiconductor transition of two-dimensional Mg2C monolayer induced by biaxial tensile strain
著者 (6件):
Meng Lingbiao
(Research Center of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China. mlbiao@caep.cn)
,
Ni Shuang
,
Zhou Minjie
,
Zhang Yingjuan
,
Li Zhaoguo
,
Wu Weidong
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
19
号:
47
ページ:
32086-32090
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)