文献
J-GLOBAL ID:201702252208431068
整理番号:17A1637423
AlGaN/GaNH EMTにおける接合温度の測定【Powered by NICT】
Measurement of junction temperature in AlGaN/GaN HEMTs
著者 (3件):
Li Gao
(China Electronics Standardization Institute, AnDingMen East Street No.1, Beijing, 100176, China)
,
Sheng Guo Chun
(Beijing University of Technology, No.100 Pingleyuan, Beijing, 100124, China)
,
Wei Li Shi
(Beijing University of Technology, No.100 Pingleyuan, Beijing, 100124, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IPFA
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)