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文献
J-GLOBAL ID:201702252301673479   整理番号:17A1732272

SAW素子のためのサファイア基板上のc軸傾斜配向ScAlN膜の成長【Powered by NICT】

Film growth of c-axis tilted ScAlN on the sapphire substrate for SAW devices
著者 (4件):
Tokuda Shohei
(Graduate School of Life and Medical Sciences Doshisha University Kyotanabe, Kyoto, Japan)
Takayanagi Shinji
(Graduate school of Engineering Nagoya Institute of Technology Nagoya, Aichi, Japan)
Matsukawa Mami
(Faculty of Science and Engineering Doshisha University Kyotanabe, Kyoto, Japan)
Yanagitani Takahiko
(Faculty of Advanced Science and Engineering Waseda University Shinjyuku, Tokyo, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: IUS  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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