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文献
J-GLOBAL ID：201702252362447359
整理番号：17A1649711
TCAD方法論を用いたイオン感応性電界効果トランジスタのモデル化とシミュレーション【Powered by NICT】
Modeling and simulation of ion-sensitive field-effect transistor using TCAD methodology
Choksi Neel
(Birla Institute of Technology and Science, Pilani, Rajasthan 333031, India)
,
Sewake Dewanshu
(Birla Institute of Technology and Science, Pilani, Rajasthan 333031, India)
,
Sinha Soumendu
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India)
,
Mukhiya Ravindra
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India)
,
Sharma Rishi
(CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute, (CEERI), Pilani, Rajasthan 333031, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IEMENTech ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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