文献
J-GLOBAL ID:201702252368691708
整理番号:17A1036899
直接結合とMOVPE成長に基づくシリコンプラットフォーム上のIII-V半導体デバイスのための新しい積分法【Powered by NICT】
Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform based on direct bonding and MOVPE growth
著者 (1件):
Shimomura K.
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, 7-1 Kioicho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
LTB-3D
ページ:
27
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)