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文献
J-GLOBAL ID：201702252501571227
整理番号：17A0214201
注入場環を持つ新しいGaNトレンチMIS障壁Schottky整流器【Powered by NICT】
Novel GaN trench MIS barrier Schottky rectifiers with implanted field rings
Zhang Y.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Sun M.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Liu Z.
(Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, Singapore)
,
Piedra D.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Pan M.
(IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA)
,
Gao X.
(IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA)
,
Lin Y.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Zubair A.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Yu L.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
,
Palacios T.
(Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 10.2.1-10.2.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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