文献
J-GLOBAL ID:201702252763797409
整理番号:17A0399743
低温液相成長で実現したGaSeの遷移金属ドーピング【Powered by NICT】
Transition metal doping of GaSe implemented with low temperature liquid phase growth
著者 (5件):
Lei Nuo
(Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Sato Youhei
(Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Tanabe Tadao
(Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Maeda Kensaku
(Institute of Material Research, Tohoku University, Sendai, Japan)
,
Oyama Yutaka
(Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
460
ページ:
94-97
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)