前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702252945383878
整理番号：17A0444973
Ni_1 xPt_xに関する第2回アニーリング段階の影響:Si膜の熱安定性【Powered by NICT】
The effect of the second annealing step on the Ni1-xPtx:Si film thermal stability
Pages X.
(Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands)
,
Binder R.
(GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
,
Vanormelingen K.
(Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands)
,
Smits M.
(Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands)
,
Granneman E.
(Levitech BV, 10 Versterkerstraat, 1322 AP Almere, The Netherlands)
,
Weisheit M.
(GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
,
Dittmar K.
(GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
,
Jansen S.
(GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
,
Rinderknecht J.
(GLOBALFOUNDRIES Dresden, Wilschdorfer Landstraβe 101, 01109 Dresden, Germany)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 171 ページ： 44-52 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。