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文献
J-GLOBAL ID：201702253031865184
整理番号：17A1521737
GaNベースLEDの周波数特性に及ぼすキャリア分布の影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】
Influence of Carrier Distribution on The Frequency Behavior for GaN-based LEDs
Wu Chunhui
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心, 北京 100083;中国科学院半導体研究所 集成光電子学国家重点実験室, 北京 100083)
,
Zhu Shichao
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083)
,
Fu Binglei
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心, 北京 100083;中電科電子装備集団有限公司, 北京 100070)
,
Liu Lei
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083)
,
Zhao Lixia
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083)
,
Wang Junxi
(中国科学院半導体研究所 半導体照明研発中心,北京,100083)
,
Chen Hongda
(中国科学院半導体研究所 集成光電子学国家重点実験室,北京,100083)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 38 号： 3 ページ： 347-352 発行年： 2017年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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