前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702253086283816
整理番号：17A0825202
HfO_2~-不動態化した黒リントランジスタに及ぼす総電離線量効果【Powered by NICT】
Total Ionizing Dose Effects on HfO2-Passivated Black Phosphorus Transistors
Liang C.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Su Y.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
,
Zhang E. X.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Ni K.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Alles M. L.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Schrimpf R. D.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Fleetwood D. M.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Koester S. J.
(Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 1 ページ： 170-175 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。