文献
J-GLOBAL ID:201702253140743957
整理番号:17A0953324
サブ0.5Vで動作するトンネルFETを用いたRF低雑音増幅器
A sub-0.5 V operating RF low noise amplifier using tunneling-FET
著者 (4件):
JHON Hee-Sauk
(Broadcom, Seoul, KOR)
,
JEON Jongwook
(Samsung Electronics, Gyeonggi, KOR)
,
KANG Myunggon
(Korea National Univ. Transportation, Chungbuk, KOR)
,
CHOI Woo Young
(Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
2
ページ:
020303.1-020303.4
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)