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文献
J-GLOBAL ID：201702253151932366
整理番号：17A0375011
前処理Al_2O_3(0001)表面上の自己集合GaNナノワイヤの界面特性【Powered by NICT】
Interfacial properties of self-assembled GaN nanowires on pre-processed Al2O3(0001) surfaces
Koukoula T.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
,
Kioseoglou J.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
,
Kehagias Th.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
,
Furtmayr F.
(Walter Schottky Institute, Technical University of Munich, D-85748 Garching, Germany)
,
Eickhoff M.
(Institute of Experimental Physics I, Justus-Liebig-University Giessen, D-35392 Giessen, Germany)
,
Kirmse H.
(Institute of Physics, Humboldt University of Berlin, Newtonstrasse 15, D-12489 Berlin, Germany)
,
Karakostas Th.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
,
Komninou Ph.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, GR-54124 Thessaloniki, Greece)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55 ページ： 46-50 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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