文献
J-GLOBAL ID:201702253248422555
整理番号:17A1999402
透明導電性CdOのバナジウムをドープしたキャリア移動度の改善【Powered by NICT】
Improving carrier mobility with vanadium doping of transparent conducting CdO
著者 (1件):
Dakhel A.A.
(Department of Physics, College of Science, University of Bahrain, P.O. Box 32038, Bahrain)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
79
ページ:
276-280
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)