文献
J-GLOBAL ID:201702253290861493
整理番号:17A0309239
トライゲートSiナノワイヤトランジスタ用のBSIM4パラメータ抽出【Powered by NICT】
BSIM4 parameter extraction for tri-gate Si nanowire transistors
著者 (5件):
Tanaka Chika
(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan)
,
Saitoh Masumi
(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan)
,
Ota Kensuke
(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan)
,
Ishikawa Takayuki
(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan)
,
Numata Toshinori
(Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-Cho, Saiwaiku, Kawasaki, Kanagwa 212-8582, Japan)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
47
ページ:
1-6
発行年:
2016年01月
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)