文献
J-GLOBAL ID:201702253313373074
整理番号:17A0665687
電界効果トランジスタにおける導電性原子間力顕微鏡で観察した2,2′,6,6′-テトラフェニル-ジピラニリデン薄膜における不揮発性抵抗メモリ効果【Powered by NICT】
A non-volatile resistive memory effect in 2,2′,6,6′-tetraphenyl-dipyranylidene thin films as observed in field-effect transistors and by conductive atomic force microscopy
著者 (7件):
Courte Marc
(School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, 637371, Singapore. denisfichou@ntu.edu.sg)
,
Surya Sandeep G.
,
Thamankar Ramesh
,
Shen Chao
,
Rao V. Ramgopal
,
Mhailsalkar Subodh G.
,
Fichou Denis
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
6
ページ:
3336-3342
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)