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文献
J-GLOBAL ID:201702253411973623   整理番号:17A0412390

卵殻を用いて作製した大きな不揮発性バイポーラ抵抗スイッチングメモリ挙動【Powered by NICT】

A larger nonvolatile bipolar resistive switching memory behaviour fabricated using eggshells
著者 (9件):
Zhou Guangdong
(Guizhou Institute of Technology, Guizhou 550003, PR China)
Zhou Guangdong
(Institute for Clean Energy & Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, PR China)
Zhou Guangdong
(Chongqing Key Laboratory for Advanced Materials and Technologies of Clean Energy, Chongqing 400715, PR China)
Sun Bai
(School of Physical Science and Technology, Southwest Jiaotong University, Sichuan 610031, PR China)
Sun Bai
(Institute for Clean Energy & Advanced Materials (ICEAM), Southwest University, Chongqing 400715, PR China)
Sun Bai
(Chongqing Key Laboratory for Advanced Materials and Technologies of Clean Energy, Chongqing 400715, PR China)
Zhou Ankun
(KunMing Institute of Botany, Chinese Academy of Science, Kunming 650201, PR China)
Wu Bo
(Institute of Theoretical Physics, Zunyi Normal College, Zunyi 563002, PR China)
Huang Haishen
(Institute of Theoretical Physics, Zunyi Normal College, Zunyi 563002, PR China)

資料名:
Current Applied Physics  (Current Applied Physics)

巻: 17  号:ページ: 235-239  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1579A  ISSN: 1567-1739  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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