文献
J-GLOBAL ID:201702253547357140
整理番号:17A0581003
Pt/Pt/Ta2O5/HfO2-x/Hfスタックに於ける超低スイッチング電流を有する自己整流性抵抗スイッチングメモリ
Self-Rectifying Resistive Switching Memory with Ultralow Switching Current in Pt/Ta2O5/HfO2-x /Hf Stack
著者 (8件):
MA Haili
(Shanghai Jiao Tong Univ.)
,
FENG Jie
(Shanghai Jiao Tong Univ.)
,
LV Hangbing
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
GAO Tian
(Shanghai Jiao Tong Univ.)
,
XU Xiaoxin
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
LUO Qing
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
GONG Tiancheng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
,
YUAN Peng
(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci.)
資料名:
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻:
12
号:
1
ページ:
12:118 (WEB ONLY)
発行年:
2017年12月
JST資料番号:
U7001A
ISSN:
1931-7573
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)