文献
J-GLOBAL ID:201702253564277856
整理番号:17A0118310
Raman顕微分光法を用いた半導体製造における直接光学応力センシング【Powered by NICT】
Direct optical stress sensing in semiconductor manufacturing using Raman micro-spectrometry
著者 (7件):
De Biasio M.
(Carinthian Tech Research AG, Europastras&e 12, 9500 Villach)
,
Kraft M.
(Carinthian Tech Research AG, Europastras&e 12, 9500 Villach)
,
Roesner M.
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstras&e 2, 9500 Villach, Austria)
,
Bergmann C.
(Infineon Technologies Austria AG, Siemensstras&e 2, 9500 Villach, Austria)
,
Cerezuela-Barreto M.
(Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany)
,
Lewke D.
(Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany)
,
Schellenberger M.
(Fraunhofer IISB, Schottkystras&e 10, 91058 Erlangen, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
SENSORS
ページ:
1-3
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)